Povijest razvoja LED-a
Otkriće poluvodičke P-N spojne luminiscencije može se pratiti do 1920-ih. Francuski znanstvenik O.W.Lossow prvi je put primijetio ovaj fenomen luminiscencije kada je proučavao SiC detektore. Zbog ograničenja pripreme materijala i tehnologije uređaja u to vrijeme, ovo važno otkriće nije brzo iskorišteno. Do četrdeset godina kasnije, s napretkom III-V grupnih materijala i tehnologije uređaja, ljudi su konačno uspješno razvili praktičnu vrijednost GaAsP svjetleće diode koja emitira crveno svjetlo, a koju je GE masovno proizveo kao instrumentni pokazatelj. Od tada, zbog daljnjeg razvoja GaA-a, Gapa i drugih materijala istraživanja i tehnologije uređaja, osim duboko crvenih LED dioda, na tržištu su se u velikom broju pojavili i LED uređaji, uključujući narančastu, žuto-zelenu i druge boje.
Iz različitih razloga LED uređaji kao što su Gap i GaAsP imaju nisku svjetlosnu učinkovitost, a intenzitet svjetla obično je ispod 10mcd, koji se može koristiti samo za potrebe unutarnjeg zaslona. Iako AlGaAs materijal ulazi u područje neizravnog skoka, svjetlosna učinkovitost brzo opada. S napretkom poluvodičkih materijala i tehnologije uređaja, posebno rastućom zrelošću epitaksijalnih procesa kao što je MOCVD, početkom 1990-ih, Nichia iz Japana i Cree iz Sjedinjenih Država koristili su MOCVD tehnologiju u LED epitaksijalnim pločicama temeljenim na GaN-u sa strukturama uređaja uspješno su uzgajane na podlogama safira i SiC-a, a izrađeni su plavi, zeleni i ljubičasti LED uređaji visoke svjetline.
Pojava LED uređaja s iznimno visokom svjetlinom otvorila je izuzetno sjajne izglede za proširenje LED područja primjene. Prvi je da povećanje svjetline čini da se primjena LED uređaja kreće iz unutarnjeg u vanjski prostor. Čak i na jakom sunčevom svjetlu, ove LED cijevi na razini CD-a još uvijek mogu svijetliti i šareno. Trenutno se široko koristi na vanjskom zaslonu velikog zaslona, indikaciji statusa vozila, semaforima, LCD pozadinskom osvjetljenju i općoj rasvjeti. Druga značajka ultra svijetlih LED dioda je proširenje valne duljine emisije. Pojava InGaAlP uređaja proširuje emisijski pojas na kratkovalnu žuto-zelenu regiju od 570 nm, dok uređaji na bazi GaN-a dodatno proširuju valnu duljinu emisije na zelene, plave i ljubičaste trake. Na taj način LED uređaji ne samo da čine WORLD šarenim, već i omogućuju proizvodnju čvrstih bijelih izvora rasvjete. U usporedbi s konvencionalnim izvorima svjetlosti, LED uređaji su hladni izvori svjetlosti s dugim vijekom trajanja i niskom potrošnjom energije. Drugo, LED uređaji također imaju prednosti male veličine, čvrste i izdržljive, niskog radnog napona, brzog odziva i jednostavne veze s računalima. Statistike pokazuju da je u posljednjih pet godina dvadesetog stoljeća tržište primjene LED proizvoda visoke svjetline zadržalo stopu rasta veću od 40%. S oporavkom svjetskog gospodarstva i početkom projekta bijele rasvjete, vjeruje se da će proizvodnja i primjena LED diode dovesti do većeg vrhunca.
